水溶液(物理問題一題)、熱電漿 - 社會議題
By Emma
at 2012-02-05T00:00
at 2012-02-05T00:00
Table of Contents
已知一杯水溶液在25度的各項數值如下:
(甲) 重量百分濃度25%
(乙) 質量100克
(丙) 溶解度 40克/100克水
當其溫度與壓力發生變化,哪些數據仍保持不變?
(須寫下解答和解釋甲乙丙)
熱電漿是什麼?
1.應用到的物品
2.特性
3.經整理過的資料
謝謝囉~
(甲) 重量百分濃度25%
(乙) 質量100克
(丙) 溶解度 40克/100克水
當其溫度與壓力發生變化,哪些數據仍保持不變?
(須寫下解答和解釋甲乙丙)
熱電漿是什麼?
1.應用到的物品
2.特性
3.經整理過的資料
謝謝囉~
Tags:
社會議題
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By Genevieve
at 2012-02-09T02:31
at 2012-02-09T02:31
重量百分濃度=溶質重量(質量)/溶質+溶劑重量(質量)
=溶質重量(質量)/溶液重量(質量),
而溫度與壓力的變化並不會影響重量與質量。
同理,乙也不會變。
而丙,因溫度變化會影響溶解度
(溶解時吸熱,溫度上升,溶解度上升;
溶解時放熱,溫度上升,溶解度下降)
所以丙會隨溫度變化。而如果是氣體溶於水,壓力也會影響到溶解度。
分壓越大,溶解度越大。
熱電漿由於其超高溫的特性,在工業上被廣泛用於金屬材料的加工、熔接、及鋼鐵與礦石的冶煉等方面;近年來,已有利用熱電漿技術處理有害事業廢棄物(hazardous waste),如電漿火炬(plasma torch)及電漿玻璃法(plasmas vitrification)等;亦有研究嘗試以熱電漿完全游離的特性處理核能/放射性廢料(nuclear/radioactive wastes),將其反應為無害的CO2及H2O,惟發展尚未成熟。 低溫電漿的應用主要有六項(1)薄膜生成(thin film technology):與傳統用以生產薄膜的化學蒸鍍製程(chemical vapor deposition, CVD)比較,電漿輔助薄膜生成法可以操作在較低的工作溫度下,同時也提高了薄膜之品質。(2)照明顯示用途:常見的日光燈、霓紅燈、以及目前最尖端的超薄型電漿電視都是利用輝光放電(glow discharge)技術之原理所製造出來的。(3)電漿蝕刻技術(plasma etching):主要應用在積體電路板(IC)、精密的印刷電路板之製造。(4)表面改質(surface modification):亦稱為離子佈植(Ion implantation)。利用電漿將選定之離子植入(doping)材質表面,以改善材質表面或改變材質特性,如nitriding (植入N原子)、carbonizing (植入C原子)、及carbonitriding (同時植入C與N原子)等。(5)特殊氣體的生成,例如以介電質放電技術生成臭氧,以輝光放電技術合成特殊化學品等。(6)環境保護:例如以靜電集塵器(electrostatic precipitator, ESP)或電子束/電暈放電技術(electron beam/corona discharge)控制粒狀污染物,另外有許多低溫電漿技術被應用於摧毀氣態污染物,包括電子束法、輝光放電、電暈放電法、高週波放電、及介電質放電法等,說明如下:電子束(Electron Beam):由於電子速度極快,以高能撞擊鈦箔光束窗會生成更多電子,這些高能電子可與廢氣之氣體分子進行非彈性碰撞,生成高反應性自由基氧化或還原污染物,達到去除污染物之目的。輝光放電(Glow Discharge):輝光放電已為實驗室研究電漿化學的一重要工具,但因其低壓的限制,導致低質量流的結果,而無法廣泛應用於工業製程中;目前之應用多侷限於照明工業,如廣告使用的氖燈管和螢光燈管等。電暈放電(Corona Discharge):電暈放電反應器的設計主要依電源供給形式而有所不同,如直流電電暈放電(DC corona)、與正、負脈衝式(pulsed corona)等。高週波電漿(Radio Frequency Plasmas, RF Plasmas): 高週波電漿的應用一般在低壓狀態,如半導體業的蝕刻(etching)及薄膜(thin film)的生成等,在大氣壓下應用者較少見。介電質放電(Dielectric Barrier Discharge, DBD):最近數年間,DBD的研究在學術界如雨後春筍般蓬勃發展,並已被證實可有效用於NOx、SO2、VOCs、greenhouse gases、ozone depletion gases及odor gases等多種氣狀污染物的去除。綜觀低溫電漿各法,在氣態空氣污染防制方面,DBD仍是最具發展潛力的技術之一。
希望小蜜蜂的解答有幫助到您~
2012-02-15 11:51:13 補充:
磁局限融合(英語:Magnetic confinement fusion),又譯為磁局限融合,一種利用磁場與高熱電漿來引發核融合反應的技術。它的作法是,先加熱燃料,使它成為電漿形態,再利用磁場,拘束住高熱電漿中的帶電粒子,使它進行螺線運動,進一步加熱電漿,直到產生核融合反應。
托卡馬克磁場目前可以使用托卡馬克(tokamak)技術來達成磁局限融合。它發展的程度比慣性局限融合還好,但是隨著尺寸增加,產生不穩定的狀況也比較嚴重。
這也是應用的一部份~(來自維基百科)
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